晶体管的场效应（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。结型场效应管主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管，晶体管的场效应属于电压型控制元器件，广泛应用于各类行业，例如开关电源、马达驱动、光伏逆变、充电桩、车载逆变器、电动自行车、LED照明电源、镇流器等等。

1、为了安全使用场效应晶体管，在线路的设计中不能**过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。

2、使用各种类型的场效应晶体管时，应严格按照要求的偏置连接电路，并遵守场效应管偏置的极性。例如，结型场效应晶体管栅的源泄漏PN结，N沟管栅较不能加正偏压；P管栅较不能加载偏压等。

3、MOS由于场效应晶体管具有较高的输人阻抗性，因此在运输和储存过程中必须引起脚短路。应使用金属屏蔽包装，以防止外部感应电势击穿栅较。特别注意MOS场效应晶体管放入塑料盒中，保存时较好放入金属盒中，还要注意管道的防潮。

4、为了防止现场效应晶体管栅较感应击穿，所有仪器、工作台、电烙铁和线路本身必须有良好的接地；焊接管脚时，首先焊接源较；连接电路前，管道所有引线端保持相互短接，焊接后去除短接材料；从组件架上取下管道时，应以适当的方式确保人体接地，如接地环；当然，如果能使用先进的气热电烙铁，焊接场效应晶体管更方便、安全；未关闭电源时，不得插入管道或拔出管道。

5、在安装现场效应晶体管时，应注意安装位置，尽量避免靠近加热元件；为防止管件振动，必须拧紧管壳；弯曲管脚引线应大于根尺寸5mm，以防止管脚弯曲和漏气。

6、对于功率场效应晶体管，应有良好的散热条件。由于功率场效应晶体管在高负荷条件下使用，必须设计足够的散热器，以确保壳体温度不**过额定值，使设备长期稳定可靠地工作。